我国电科48所发布最新研发的8英寸碳化硅外延设备

  研发的8英寸碳化硅外延设备，成功打破要害技能及工艺，进一步推进碳化硅电力电子器材制作降本增效，牵引碳化硅职业向低本钱、规模化方向开展，也标志着国产第三代半导体专用中心配备跨进“8英寸年代”。

  据我国电科48所党委书记王平泄漏，此次48所发布的8英寸碳化硅外延设备有三个打破性的目标，分别是选用该设备出产的8英寸成长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、外表丧命缺点小于0.4个/cm2。这些技能目标的打破，标志着电科配备已成功把握8吋SiC外延设备有关技能。据悉，现在该设备已完结首轮工艺验证。

  此前，在6英寸碳化硅外延机型方面，48所收成了国内第三代半导体配备职业的榜首大订单。该所研发的芯片制作要害配备碳化硅高温离子注入机已完成100%国产化，稳居国内商场占有率榜首。

  据《我国电子报》报导，我国电科48所党委书记王平向记者介绍，碳化硅晶圆面积从6英寸提高至8英寸，主要在两个方面有显着的提高：

  可是，在提高晶圆面积的一起，怎么确保良率是现在要处理的难题，也是现在8英寸晶圆设备面对的应战之一。扩展尺度是工业链降本增效的有用途径之一。但在扩展尺度的一起，还需求战胜大尺度外延成长反响源沿程损耗杰出、温流场散布不傲骨难题，这些困难均需求经过8英寸晶圆设备来处理。

  尽管8英寸晶圆设备是现在国内外都在活跃布局的新技能，但现在商场仍处于相对蓝海阶段。因而，关于本乡宽禁带半导体企业而言，8英寸碳化硅设备的研发，也是一个绝佳的开展路途。

  此外，王平介绍，48所着力在外延、注入、氧化、激活等专用中心配备上发力打破，结合立式分散炉、物理气相堆积等通用设备与半导体芯片出产线的建线经历，成为国内仅有具有供给碳化硅整线集成处理方案才能的单位。

  展会现场，技能人员表明，自主研发的4-6英寸单晶成长炉到达国内领先水平；碳化硅高温离子注入机完成彻底自主立异，稳居国内商场占有率榜首；6英寸碳化硅外延设备，发明国内第三代半导体配备职业榜首大订单；国内首台SiC晶圆缺点查验测验设备成功研发，6英寸中心设备整线集成才能大幅跃升。

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